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IGBT 的命名规则

西门子系列:BSM100GB120DN2K

BSM—— 带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块

BYM—— 二极管模块

100—— Tc=80°C时的额定电流

GA —— 一单元模块

GB —— 两单元模块(半桥模块)

GD —— 六单元模块

GT —— 三单元模块

GP —— 七单元模块(功率集成模块)

GAL—— 斩波模块(斩波二极管靠近集电极)

GAR—— 斩波模块(斩波二极管靠近发射极)

120—— 额定电压×10

DL —— 低饱和压降

DN2—— 高频型

DLC—— 带(EmCon)二极管的低饱和压降

英飞凌(优派克)系列:FF400R12KE3

FZ —— 一单元模块

FF —— 两单元模块(半桥模块)

FP —— 七单元模块(功率集成模块)

FD/DF— 斩波模块

F4 —— 四单元模块

FS —— 六单元模块

DD —— 二极管模块

400—— Tc=80°C时额定电流

R —— 逆导型

S —— 快速二极管

12 —— 额定电压×100

KF —— 高频型(主要在大模块上使用)

KL —— 低饱和压降(主要在大模块上使用)

KS —— 短拖尾高频型

KE —— 低饱和压降型

KT —— 低饱和压降高频型
佚名
2024-06-09 08:19:36
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