二极管型号如何识别?
国产半导体器件的命名方法
二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定,由五部分组成。
第一部分:用数字表示器件电极的数目。
第二部分:用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分:用数字表示器件序号。
第五部分:用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 . 1 所示。
表 5 . 1 国产半导体器件的命名方法
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义
2 二极管 A N 型,锗材料 P 普通 X 低频小功率
(fa<3MHz , Pc<1W) 反映二极管、三极管参数的差别 反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如
A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压最低, B 稍高
B P 型,锗材料 W 稳压管
C N 型,硅材料 Z 整流管 G 高频小功率
(fa>3MHz , Pc<1W)
D P 型,硅材料 L 整流堆
3 三极管 A PNP 型,锗材料 N 阻尼管 D 低频大功率
(fa<3MHz , Pc>1W)
B NPN 型,锗材料 K 开关管
C PNP 型,硅材料 F 发光管 A 高频大功率
(fa>3MHz , Pc>1W)
D NPN 型,硅材料 S 隧道管
E 化合物材料 U 光电管 T 可控硅
CS 场效应管
BT 特殊器件
2 .日本半导体器件的命名方法
日本半导体器件命名型号由五部分组成。
第一部分:用数字表示半导体器件有效数目和类型。 1 表示二极管, 2 表示三
极管。
第二部分:用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。
第三部分:用字母表示该器件使用材料、极性和类型。
第四部分:表示该器件在日本电子工业协会的登记号。
第五部分:表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表 5 • 2 所示。
表 5 . 2 日本半导体器件的命名
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
序号 意义 符号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义
O 光电二极管 或三极管 S 已在日本电子工业协会注 册登记的 半导体 器件 A PNP 高频晶体管 多 位数 字 该器件在日
本电子工业协会的注册登记号
A
B
C
D 该器件为原
型号产品的改
进产品
B NP 低频晶体管
C NPN 高频晶体管
1 二极管 D NPN 低频晶体管
2 三极管或有三个电极的其他器件 E P 控制极可控硅
G N 控制极可控硅
H N 基极单结晶管
J P 沟道场效应管
3 四个电极的器件 N 沟道场效应管
M 双向可控硅
3 .美国半导体器件的命名方法
美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。
第一部分为前缀。
第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分。
第五部分为后缀。这五部分符号及意义如表 5 . 3 所示。
表 5 . 3 美国半导体器件的命名
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
用符号表示器件的类别 用数字表示 PN 结数目 美国电子工业协会注册标志 美国电子工业协会登记号 用字母表示器分挡
序号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义
JAN 或 J 军用品 1 二极管 N 该器件是在美 国电子工业协会注册登记的半导体器件
二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定,由五部分组成。
第一部分:用数字表示器件电极的数目。
第二部分:用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分:用数字表示器件序号。
第五部分:用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 . 1 所示。
表 5 . 1 国产半导体器件的命名方法
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义
2 二极管 A N 型,锗材料 P 普通 X 低频小功率
(fa<3MHz , Pc<1W) 反映二极管、三极管参数的差别 反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如
A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压最低, B 稍高
B P 型,锗材料 W 稳压管
C N 型,硅材料 Z 整流管 G 高频小功率
(fa>3MHz , Pc<1W)
D P 型,硅材料 L 整流堆
3 三极管 A PNP 型,锗材料 N 阻尼管 D 低频大功率
(fa<3MHz , Pc>1W)
B NPN 型,锗材料 K 开关管
C PNP 型,硅材料 F 发光管 A 高频大功率
(fa>3MHz , Pc>1W)
D NPN 型,硅材料 S 隧道管
E 化合物材料 U 光电管 T 可控硅
CS 场效应管
BT 特殊器件
2 .日本半导体器件的命名方法
日本半导体器件命名型号由五部分组成。
第一部分:用数字表示半导体器件有效数目和类型。 1 表示二极管, 2 表示三
极管。
第二部分:用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。
第三部分:用字母表示该器件使用材料、极性和类型。
第四部分:表示该器件在日本电子工业协会的登记号。
第五部分:表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表 5 • 2 所示。
表 5 . 2 日本半导体器件的命名
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
序号 意义 符号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义
O 光电二极管 或三极管 S 已在日本电子工业协会注 册登记的 半导体 器件 A PNP 高频晶体管 多 位数 字 该器件在日
本电子工业协会的注册登记号
A
B
C
D 该器件为原
型号产品的改
进产品
B NP 低频晶体管
C NPN 高频晶体管
1 二极管 D NPN 低频晶体管
2 三极管或有三个电极的其他器件 E P 控制极可控硅
G N 控制极可控硅
H N 基极单结晶管
J P 沟道场效应管
3 四个电极的器件 N 沟道场效应管
M 双向可控硅
3 .美国半导体器件的命名方法
美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。
第一部分为前缀。
第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分。
第五部分为后缀。这五部分符号及意义如表 5 . 3 所示。
表 5 . 3 美国半导体器件的命名
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
用符号表示器件的类别 用数字表示 PN 结数目 美国电子工业协会注册标志 美国电子工业协会登记号 用字母表示器分挡
序号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义
JAN 或 J 军用品 1 二极管 N 该器件是在美 国电子工业协会注册登记的半导体器件
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答npn,锗管
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答应该用TIP41好代替,
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